какую примесь называют донорной
ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ
10 мэВ. Лит.: Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977. Э. М. Энштейн.
Полезное
Смотреть что такое «ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ» в других словарях:
донорная примесь — Примесь, атомы которой являются донорами. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые … Справочник технического переводчика
Донорная примесь — 14. Донорная примесь Примесь, атомы которой являются донорами Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
донорная примесь — donorinė priemaiša statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. donor dopant; donor impurity; n type dopant vok. Donatorstörstelle, f; n Dotant, m rus. донорная примесь, f pranc. dopant donneur, m; impureté donatrice, f … Automatikos terminų žodynas
донорная примесь — donorinė priemaiša statusas T sritis chemija apibrėžtis Medžiagos priemaiša, veikianti kaip elektronų donoras. atitikmenys: angl. donor impurity rus. донорная примесь … Chemijos terminų aiškinamasis žodynas
донорная примесь — donorinė priemaiša statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. donor impurity vok. Donatorbeimischung, f; Donatorstörstelle, f rus. донорная примесь, f pranc. impureté donatrice, f … Fizikos terminų žodynas
Донорная примесь — примесь в полупроводнике (См. Полупроводники) постороннего химического элемента, атомы которого являются донорами … Большая советская энциклопедия
донорная примесь — Примесь, атомы которой являются донорами … Политехнический терминологический толковый словарь
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
Висмут самородный — м л, Bi. Триг. К лы ромбоэдрические, псевдокуб. Дв. полисинтетические по <10 2>. Сп. сов. по <0001>, ср. по <20 1>. Отдельность по <10 2>. Агр.: вкрапленность, зернистые, листоватые, перистые, дендриты. Желтовато белый. Бл. метал. Тв. 2 2,5, Уд.… … Геологическая энциклопедия
Примесная проводимость полупроводников.
Отличительной особенностью полупроводников является их способность существенно увеличивать проводимость при добавлении примесей в кристалл. Проводимость эта, в отличие от собственной, так и называется — примесная проводимость. Именно благодаря этому свойству полупроводники нашли столь широкое практическое применение.
Примесная проводимость полупроводника, в зависимости от вида примеси, может быть электронной — ее создают донорные примеси — либо дырочной — ее создают акцепторные примеси. Полупроводники с электронной проводимостью называются полупроводниками n-типа (от слова negative — отрицательный). Полупроводники с дырочной примесной проводимостью называются полупроводниками p—типа (от слова positive — положительный).
Донорными примесями являются такие, добавление которых приводит к существенному увеличению концентрации свободных электронов в кристалле. Для того, чтобы примесь была донором электронов, необходимо, чтобы валентность элементов, ее составляющих, была больше валентности атомов решетки. Для кремния такой донорной примесью являются атомы пятивалентного мышьяка (As). Четыре электрона As участвуют в образовании парноэлектронной связи, а пятый электрон оказывается очень слабо связанным с атомом As и легко становится свободным.
Акцепторные примеси приводят к увеличению концентрации дырок. В соответствии с вышесказанным, валентность атомов акцепторной примеси ниже валентности атомов решетки кристалла. Для кремния такой примесью является трехвалентный индий (In). Теперь для образования нормальных парноэлектронных связей с соседями не хватает одного электрона. В результате образуется дырка. При наличии поля возникает дырочная проводимость.
В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. В полупроводнике p-типа дырки являются основными носителями заряда, а электроны — неосновными.
p—n-Переход — это простейшая полупроводниковая структура, которая используется в большинстве полупроводниковых приборов. Для получения p-n-перехода полупроводниковый образец легируют (вводят в него примеси) таким образом, чтобы в одной его части преобладали донорные примеси, а в другой — акцепторные, в результате получают контакт полупроводника n-типа с полупроводником p-типа.
Основным свойством p-n-перехода является его способность пропускать ток только в одном направлении, если напряжение приложено к образцу так, что проводимость осуществляется основными носителями тока, как это показано на рисунке выше: «-» со стороны полупроводника n-типа, «+» — со стороны p-типа (электроны из n-области переходят в p-область, и наоборот).
Если теперь поменять полярность приложенного напряжения U, то ток через p-n-переход практически не идет, т. к. переход через контакт осуществляется неосновными носителями, которых мало. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода изображена на рисунке ниже.
Здесь правая часть графика — это прямой переход (осуществляемый основными носителями), левая, пунктирная часть — обратный переход (осуществляемый неосновными носителями). Свойства p-n-перехода используются для выпрямления переменного тока в устройствах, которые называются полупроводниковыми диодами.
Разница между Донорными и Акцепторными примесями
Основное различие между Донорными и Акцепторными примесями заключается в том, что элементы в группе V периодической таблицы элементов обычно действуют как Донорные примеси (отдающие), тогда как элементы в группе III обычно действуют как Акцепторные примеси (принимающие).
Легирование полупроводников — это процесс, при котором добавляются примеси в полупроводник. Легирование используется для увеличения проводимости полупроводника. Существует две основные формы примесей: Донорные и Акцепторные. При д онорном легировании добавляются Донорные примеси, тогда как при акцепторном легировании добавляются Акцепторые примеси.
Содержание
Что такое Донорная примесь?
Донорные примеси — это донорные (отдающие) химические элементы, добавляемые к полупроводнику для увеличения его электропроводности. Элементы в V группе периодической таблицы элементов являются общими донорными примесями. Донором является атом или группа атомов, которые могут образовывать области n-типа (от англ. «negativ» — что переводится как «отрицательный») при добавлении в полупроводник. Типичным примером является кремний (Si).
Кремний с Донорной примесью фосфора
К элементам V группы, которые часто служат в качестве донорных примесей, относятся мышьяк (As), фосфор (P), висмут (Bi) и сурьму (Sb). Эти элементы имеют пять электронов в своей внешней электронной оболочке (у них есть пять валентных электронов). При добавлении одного из этих примесных элементов к кремнию, образуется четыре ковалентные связи.
Но теперь есть свободный электрон, так как было пять валентных электронов. Этот электрон так и останется свободным электроном, что увеличит проводимость полупроводника. Число примесных атомов определяет количество свободных электронов, присутствующих в доноре.
Что такое Акцепторная примесь?
Акцепторная примесь представляют собой акцепторные (принимающие) химические элементы, добавляемые в полупроводник для увеличения его электропроводности. Элементы в III группе периодической таблицы элементов используются в качестве акцепторных примесей. Эти э лементы включают алюминий (Al), бор (B) и галлий (Ga). Акцептор представляет собой легирующую примесь, которая образует области р-типа (от англ. «positiv» — что переводится как «положительный») при добавлении в полупроводник. А томы акцепторных примесей имеют три валентных электрона в своих внешних электронных оболочках.
При добавлении в полупроводник акцепторного атома примеси, например такого как алюминий, он заменяет атомы кремния в полупроводнике. Перед этим атом кремния имеет вокруг себя четыре ковалентные связи. Когда атом алюминия занимает положение кремния, этот атом алюминия образует только три ковалентные связи, что, в свою очередь, приводит к образованию свободной вакансии ковалентной связи у соседних атомов. Эта свободная вакансия называется дыркой. Из соседней ковалентной связи на место свободной дырки может перескочить электрон. Эти дырки используются при прохождении электричества через полупроводник. При прохождении электричества в полупроводнике происходит хаотическое блуждание дырок.
В чем разница между Донорными и Акцепторными примесями?
Донорные против Акцепторных примесей | |
Донорные примеси — это донорные элементы, добавляемые к полупроводнику для увеличения его электропроводности | Акцепторные примеси представляют собой акцепторные элементы, добавляемые к полупроводнику для увеличения его электропроводности |
Распространенные примеси | |
Элементы V группы | Элементы III группы |
Примеры примесей | |
Мышьяк (As), фосфор (P), висмут (Bi) и сурьма (Sb) | Алюминий (Al), бор (B) и галлий (Ga) |
Процесс | |
Увеличение свободных электронов в полупроводнике | Увеличение дырок в полупроводнике |
Валентные Электроны | |
Атомы имеют пять валентных электронов | Атомы имеют три валентных электрона |
Ковалентное соединение | |
Образует четыре ковалентные связи внутри полупроводника, оставляя пятый электрон в качестве свободного электрона | Образует три ковалентные связи внутри полупроводника, оставляя дырку, где ковалентная связь отсутствует |
Заключение — Донорные против Акцепторных примесей
Полупроводники — это материалы, занимающие промежуточное место между диэлектриками, который не является проводником, и проводниками. Доноры и Акцепторы — это легирующие примеси, которые образуют проводящие электрический ток области в полупроводниках. Легирование Донором или Акцептором — это процессы, которые увеличивают электропроводность полупроводника. Основное различие между Донорными и Акцепторными примесями заключается в том, что элементы в III группе периодической таблицы действуют как Донорные примеси, тогда как элементы в V группе действуют как Акцепторные примеси.
Какую примесь называют донорной
Есть два способа научить человека управлять автомобилем. Первый способ такой. Нужно посадить будущего водителя за руль и дать ему конкретную инструкцию: «Хочешь ехать вперед — опусти эту ручку вниз, хочешь ехать назад — подними ее вверх, прежде чем переставлять ручку — нажми на эту педаль, а когда переставишь — отпусти педаль, хочешь ехать быстрее — нажимай на ту длинную педаль, хочешь остановиться — нажми на эту квадратную педаль. Вот и все. Поехали…»
А вот другой способ. Человеку, который хочет водить автомобиль, сначала нужно рассказать, хотя бы коротко, хотя бы в самых общих чертах, о том, как этот автомобиль устроен. Рассказать, как работает двигатель, что значит «включить зажигание», как мы изменяем количество рабочей смеси, поступающей в цилиндры, а значит, и число оборотов двигателя.
Нужно рассказать, каким образом, через какие промежуточные механизмы двигатель вращает колеса автомобиля, что происходит при переключении скоростей, для чего нужно сцепление, и так далее. И уже только после такого рассказа можно показать, какие ручки и педали управляют теми или иными агрегатами, и пояснить, в каких случаях какую педаль нужно нажимать.
Вряд ли стоит тратить время на анализ и сравнение этих двух способов обучения. Совершенно ясно, что первый из них не покажется разумным ни учителям, ни ученикам. И все же есть такая область техники, которую часто начинают изучать не головой, а руками. О чем идет речь? Представьте себе, что о радиоэлектронике.
Разве мало людей, не зная основ электроники, пытаются построить какой-нибудь сложный электронный прибор — радиоуправляемую модель или телевизор? А сколько карманных приемников было построено любителями, не имеющими представления о принципах радиоприема, не знающими, зачем нужен тот или иной элемент в собранной ими схеме! И нужно сказать, что большинство этих приемников работало, а некоторые работали просто хорошо. (А вы думаете, водитель, которого учили лишь ручки переставлять да педали нажимать, не будет ездить на машине? Будет. Да еще как!)
Так, может быть, отправляясь на завоевание страны Электронии, в самом деле нужно прежде всего вооружиться паяльником? Может быть, в этой загадочной стране все двери открывает пароль «делай сам»?
На оба эти вопроса нужно ответить утвердительно. Но с оговоркой. Если вы не хотите понапрасну терять время на разгадывание известного или бросать работу, отчаявшись найти неисправность в схеме, когда обнаружить ее дело одной минуты, если вы не хотите повторять чужие ошибки и слепо копировать плохонькую схему, в то время как есть тысяча простых способов улучшить ее, одним словом, если вы не хотите блуждать впотьмах по путаным дорогам Электронии, запомните: пароль «делай сам» обязательно нужно дополнить словами «знай» и «думай».
Эта книжка по возможности построена так, что описания конкретных электронных приборов, которые можно построить своими силами, переплетаются с рассказом об «архитектуре» и налаживании схем, об электрических цепях, их отдельных элементах. Однако все, что хотелось рассказать об основах радиоэлектроники, не удалось равномерно «перемешать» с описаниями приборов-самоделок. Потому что о некоторых вещах нужно знать еще до того, как вы возьмете в руки паяльник. Так появились в этой книге большие «блоки» основ электротехники и радиоэлектроники, в том числе и эта первая глава. А если кому-нибудь особенно не терпится «сесть за руль», если кто захочет сразу же пустить в ход паяльник, то пусть он, этот нетерпеливый человек, сразу берется за описания конкретных схем — а их в книге немало — и пропускает те разделы, которые покажутся слишком общими. Только заранее предупреждаем: выиграть на этом ничего не удастся!
Прежде чем начинать рассказ о транзисторных усилителях, приемниках и генераторах, прежде чем чертить планы монтажа простых и сложных транзисторных аппаратов и писать формулы для расчета их узлов, одним словом, прежде чем знакомиться, как это обещано, со схемами на транзисторах, мы несколько отклонимся от своей цели. Мы совершим короткую, буквально на пять — десять минут, экскурсию совсем в другое государство — в языкознание. Цель этой экскурсии — познакомиться с несколькими необычными применениями нескольких обычных слов.
По-видимому, в каждом языке существуют одинаково звучащие, но имеющие разное значение слова. Официальное название таких слов — омонимы. За примерами русских омонимов не нужно далеко ходить: это ключ— родник, ключ от замка, телеграфный ключ, гаечный ключ и ключ для чтения шифрованного письма. А вот еще примеры: три — число и три — глагол; нос на лице и нос корабля; совет — рекомендация, указание, как поступать, и Совет — орган власти (например, городской Совет).
Омонимы, может быть, и полезны в каких-то случаях, например при сочинении шуточных стихов, но, в общем-то, конечно, существование одного общего слова для двух совершенно разных понятий очень неудобно. И, к сожалению, такие неудобства мы часто создаем сами. Причем не то чтобы по ошибке, не то чтобы случайно, а в силу какой-то небрежности, какого-то неуважения к чистоте и четкости родного языка.
Примером такой небрежности может служить и слово «транзистор», которое с чьей-то легкой руки, к сожалению, стало омонимом.
Слово «транзистор» родилось около двадцати лет назад. Именно так был назван новый усилительный прибор — полупроводниковый, или, как его еще тогда называли, кристаллический, триод. Само слово транзистор является своеобразным гибридом двух радиотехнических терминов — трансфер и резистор. Первое из этих слов (оно очень похоже на трансформатор) означает «преобразователь», «переносчик», «передатчик». Второе слово относится к электрическому сопротивлению, тому самому, на котором электрический ток выделяет мощность и которое входит в закон Ома, определяет ток в цепи и т. д. В общем же, слово «транзистор» можно расшифровать как «преобразователь сопротивлений», прибор, который передает, переносит сопротивление из одной цепи в другую.
С чем связано такое название, мы увидим несколько позже, а пока лишь заметим, что оно, это название, характеризует главную «профессию» транзистора — его умение усиливать слабый электрический сигнал. Со способностью транзистора проделывать ряд «фокусов» и как бы изменять сопротивление цепи, по которой проходит электрический ток, как раз и связано то, что транзистор увеличивает мощность слабого сигнала, то есть усиливает его. По своему устройству транзистор— это миниатюрный полупроводниковый кристаллик (помещенный в пластмассовый или металлический корпус) с подпаянными или приваренными к нему тремя тонкими проволочками. Именно с их помощью транзистор включается в ту или иную электрическую цепь.
Существует множество людей, которые возмутятся, познакомившись с нашим описанием транзистора. И совсем не за краткости или поверхностности этого описания. Существует множество людей, которые уверенно скажут, что наше описание в принципе неверно, что транзистор — просто маленький, переносный приемник, который можно слушать на пляже, на прогулке, в лесу, на рыбалке.
Откуда взялось это второе значение слова «транзистор»?
Скорее всего его автором был небрежный, малограмотный и, конечно уж, нелюбознательный человек. Увидел он впервые маленький приемник, услышал, краем уха, что в нем есть какие-то транзисторы, и, даже не узнав, что это такое, почему приемник так мал, чем он отличается от всех других, дал этому приемнику название «транзистор». И пошло оно гулять по свету. Невежество было закреплено печатным словом: транзистор-приемник появился в газетных и журнальных статьях.
Какую примесь называют донорной
Полупроводники по удельной проводимости занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.
Электрические свойства веществ
Полупроводники от металлов отличают по ряду признаков:
К полупроводникам принадлежат 12 химических элементов
Виды проводимости
Строение полупроводниковых кристаллов
Германий — четырехвалентный элемент, во внешней оболочке атома есть четыре электрона, слабее связанных с ядром, чем остальные. Число ближайших соседей каждого атома германия также равно 4. Четыре валентных электрона каждого атома германия связаны с такими же электронами соседних атомов химическими парноэлектронными (ковалентными) связями. В образовании этой связи от каждого атома участвует по одному валентному электрону, которые отщепляются от атомов (коллективизируются кристаллом) и при своем движении большую часть времени проводят в пространстве между соседними атомами. Их отрицательный заряд удерживает положительные ионы германия друг возле друга. Такого рода связь условно может быть изображена двумя линиями, соединяющими ядра.
Электропроводимость химически чистого полупроводника возможна в том случае, когда ковалентные связи в кристаллах разрываются и появляются свободные электроны.
Дополнительная энергия, которая должна быть затрачена, чтобы разорвать ковалентную связь и сделать электрон свободным, называется энергией активации.
Получить эту энергию электроны могут при нагревании кристалла, при облучении его высокочастотными электромагнитными волнами и т.д.
Как только электрон, приобретя необходимую энергию, уходит с локализованной связи, на ней образуется вакансия. Эту вакансию может легко заполнить электрон с соседней связи, на которой, таким образом, также образуется вакансия. Таким образом, благодаря перемещению электронов связи происходит перемещение вакансий по всему кристаллу. Эта вакансия ведет себя точно так же, как и свободный электрон — она свободно перемещается по объему полупроводника. Более того, учитывая, что и полупроводник в целом, и каждый его атом при не нарушенных ковалентных связях электрически нейтральны, можно сказать, что уход электрона со связи и образование вакансии фактически эквивалентно появлению на этой связи избыточного положительного заряда. Поэтому образовавшуюся вакансию можно формально рассматривать как носитель положительного заряда, который называют дыркой.
Таким образом, уход электрона с локализованной связи порождает пару свободных носителей заряда — электрон и дырку. Их концентрация в чистом полупроводнике одинакова. При комнатной температуре концентрация свободных носителей в чистых полупроводниках невелика, примерно в 10 9 ÷ 10 10 раз меньше концентрации атомов, но при этом она быстро возрастает с увеличением температуры.
Сравните с металлами: там концентрация свободных электронов примерно равна концентрации атомов.
В отсутствие внешнего электрического поля эти свободные электроны и дырки движутся в кристалле полупроводника хаотически.
Во внешнем электрическом поле электроны перемещаются в сторону, противоположную направлению напряженности электрического поля. Положительные дырки перемещаются в направлении напряженности электрического поля. Процесс перемещения электронов и дырок во внешнем поле происходит по всему объему полупроводника.
Собственная проводимость = электронная + дырочная |
Общая удельная электропроводность полупроводника складывается из дырочной и электронной проводимостей. При этом у чистых полупроводников число электронов проводимости всегда равно числу дырок. Поэтому говорят, что чистые полупроводники обладают электронно-дырочной проводимостью, или собственной проводимостью.
С повышением температуры возрастает число разрывов ковалентных связей и уменьшается удельное сопротивление чистых полупроводников
Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.
Примесной проводимостью полупроводников называется проводимость, обусловленная наличием примесей в полупроводнике.
Примесными центрами могут быть:
Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.
Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).
Примесными центрами могут быть:
Донорная примесь
От латинского «donare» — давать, жертвовать.
Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.
Образуются избыточные электроны, мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа (negativus)
Донорные примеси — это примеси легко отдающие электроны и, следовательно, увеличивающие число свободных электронов
Акцепторная примесь
От латинского «acceptor» — приемщик.
В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает» (рис. 9). Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.
Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа (positivus)
Акцепторные примеси — это примеси, обеспечивающие дырочную проводимость
Электронно-дырочный переход
Электронно-дырочный переход (сокращенно р-n-переход) возникает в полупроводниковом кристалле, имеющем одновременно области с n-типа (содержит донорные примеси) и р-типа (с акцепторными примесями) проводимостями на границе между этими областями.
Допустим, у нас есть кристалл, в котором слева находится область полупроводника с дырочной (p-типа), а справа — с электронной (n-типа) проводимостью (рис. 10). Благодаря тепловому движению при образовании контакта электроны из полупроводника n-типа будут диффундировать в область р-типа. При этом в области n-типа останется нескомпенсированный положительный ион донора. Перейдя в область с дырочной проводимостью, электрон очень быстро рекомбинирует с дыркой, при этом в области р-типа образуется нескомпенсированный ион акцептора.
Электронно-дырочный переход
Аналогично электронам дырки из области р-типа диффундируют в электронную область, оставляя в дырочной области нескомпенсированный отрицательно заряженный ион акцептора. Перейдя в электронную область, дырка рекомбинирует с электроном. В результате этого в электронной области образуется нескомпенсированный положительный ион донора.
В результате диффузии на границе между этими областями образуется двойной электрический слой разноименно заряженных ионов, толщина l которого не превышает долей микрометра.
Между слоями ионов возникает электрическое поле с напряженностью Ei. Электрическое поле электронно-дырочного перехода (р-n-переход) препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу раздела двух полупроводников. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с остальными объемами полупроводников.
P—n переход во внешнем электрическом поле
Внешнее электрическое поле с напряженностью E влияет на сопротивление запирающего электрического поля. Если n-полупроводник подключен к отрицательному полюсу источника, а плюс источника соединен с p-полупроводником, то под действием электрического поля электроны в n-полупроводнике и дырки в p-полупроводнике будут двигаться навстречу друг другу к границе раздела полупроводников.
Электроны, переходя границу, «заполняют» дырки. При таком прямом направлении внешнего электрического поля толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются. В этом направлении электрический ток проходит через р-n-переход.
Ток через p-n-переход теперь обусловлен электронами, которые есть в полупроводнике p-типа, и дырками из полупроводника n-типа. Но неосновных носителей заряда очень мало, поэтому проводимость перехода оказывается незначительной, а его сопротивление — большим.
Полупроводниковые приборы
для измерения температуры по силе тока в цепи
Создают оптическое излучение при пропускании через них электрического тока
для преобразования переменного тока в пульсирующий ток постоянного
Устройство диода
Способность n–p-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами. Полупроводниковые диоды изготавливают из кристаллов кремния или германия. При их изготовлении в кристалл c каким-либо типом проводимости вплавляют примесь, обеспечивающую другой тип проводимости.
Полупроводниковые диоды используются в выпрямителях для преобразования переменного тока в постоянный.
Полупроводниковые диоды обладают многими преимуществами по сравнению с вакуумными – малыми размерами, длительными сроками службы, механической прочностью. Существенным недостатком полупроводниковых диодов является зависимость их параметров от температуры. Кремниевые диоды, например, могут удовлетворительно работать только в диапазоне температур от –70 °C до 80 °C. У германиевых диодов диапазон рабочих температур несколько шире.
Транзистор
Полупроводниковые приборы не с одним, а с двумя n–p-переходами называются транзисторами. Название происходит от сочетания английских слов: transfer – переносить и resistor – сопротивление. Обычно для создания транзисторов используют германий и кремний. Транзисторы бывают двух типов: p–n–p-транзисторы и n–p–n-транзисторы. Например, германиевый транзистор p–n–p-типа представляет собой небольшую пластинку из германия с донорной примесью, т. е. из полупроводника n-типа. В этой пластинке создаются две области с акцепторной примесью, т. е. области с дырочной проводимостью. В транзисторе n–p–n-типа основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные на ней две области – проводимостью n-типа.
Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости – коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э). Обычно объем коллектора превышает объем эмиттера. В условных обозначениях на схемах стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.
Пока цепь эмиттера разомкнута, ток в цепи коллектора очень мал, так как для основных носителей свободного заряда – электронов в базе и дырок в коллекторе – переход заперт.
При замыкании цепи эмиттера дырки – основные носители заряда в эмиттере – переходят из него в базу, создавая в этой цепи ток Iэ. Но для дырок, попавших в базу из эмиттера, n–p-переход в цепи коллектора открыт. Большая часть дырок захватывается полем этого перехода и проникает в коллектор, создавая ток Iк. Для того, чтобы ток коллектора был практически равен току эмиттера, базу транзистора делают в виде очень тонкого слоя. При изменении тока в цепи эмиттера изменяется сила тока и в цепи коллектора.
Если в цепь эмиттера включен источник переменного напряжения, то на резисторе R, включенном в цепь коллектора, также возникает переменное напряжение, амплитуда которого может во много раз превышать амплитуду входного сигнала. Следовательно, транзистор выполняет роль усилителя переменного напряжения.
Однако такая схема усилителя на транзисторе является неэффективной, так как в ней отсутствует усиление сигнала по току, и через источники входного сигнала протекает весь ток эмиттера Iэ. В реальных схемах усилителей на транзисторах источник переменного напряжения включают так, чтобы через него протекал только небольшой ток базы Iб = Iэ – Iк. Малые изменения тока базы вызывают значительные изменения тока коллектора. Усиление по току в таких схемах может составлять несколько сотен.
Применение полупроводниковых приборов
Применение микросхем привело к революционным изменениям во многих областях современной электронной техники. Это особенно ярко проявилось в электронной вычислительной технике. На смену громоздким ЭВМ, содержащим десятки тысяч электронных ламп и занимавшим целые здания, пришли персональные компьютеры.
10>- какую примерно часть суши занимает россия
- какую принцессу любили животные